Ferroelectric random access memories : fundamentals and...

Ferroelectric random access memories : fundamentals and applications

石原, 宏 奥山, 雅則 有本, 由弘, , Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Yoshihiro Arimoto
Bạn thích cuốn sách này tới mức nào?
Chất lượng của file scan thế nào?
Xin download sách để đánh giá chất lượng sách
Chất lượng của file tải xuống thế nào?
Part I Ferroelectric Thin Films: Overview.- Novel Si-substituted Ferroelectric Films.- Static and Dynamic Properties of Domains.- Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films.- Part II Deposition and Characterization Methods: Sputtering Techniques.- Chemical Approach Using Tailored Liquid Sources to Bi-based Layer-structured Perovskite Thin Films.- Recent Development of Ferroelectric Thin Films by MOCVD.- Materials Integration Strategies.- Characterization by Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy.- Part III Fabrication Process and Circuit Design: Current Status of FeRAMs.- Operation Principle and Circuit Design Issues.- High Density Integration.- Testing and Reliability.- Part IV Advanced-Type Memories: Chain FeRAMs.- Capacitor-on-Metal/Via-stacked-Plug (CMVP) Memory Cell and Application to a Non-volatile SRAM.- FET-type FeRAMs.- Part V Applications and Future Prospects: Application to Future Information Technology World.- Subject Index
Thể loại:
Năm:
2004
Nhà xuát bản:
Springer
Ngôn ngữ:
english
Trang:
298
ISBN 10:
3642073840
ISBN 13:
9783642073847
Loạt:
Topics in applied physics, v. 93
File:
PDF, 6.73 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
english, 2004
Đọc online
Hoàn thành chuyển đổi thành trong
Chuyển đổi thành không thành công

Từ khóa thường sử dụng nhất